日前有报道称，三星电子事实上的领导者李在�F本周四参观了三星位于京畿道华城的半导体研发中心，这也是李在�F在2020年首次正式进行现场管理！另外，李在�F还谈及了三星将利用全球首个3纳米工艺技术制造芯片的战略。
据悉，该计划旨在使用正在开发中的最新3纳米全栅极（gate-all-around，简称GAA）工艺技术，使全球客户订购的尖端芯片商业化。
GAA被称为当前FinFET技术的升级版，该技术能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺进一步提升。
三星2019年4月完成了基于极端紫外线技术的5纳米FinFET工艺技术的开发，该公司正在研究下一代纳米工艺技术。
按照三星官方的说法，与5纳米制程相比，3纳米GAA技术在逻辑区域效率方面提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。而三星发言人则表示，“李在�F对半导体研发中心的访问，再次凸显了三星承诺成长为非内存领域顶级芯片制造商的承诺！”此外，三星在2019年还宣布了一项1118.5亿美元的投资计划，其目标则是到2030年成为全球最大的芯片系统制造商。